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BUK969R0-60E,118  与  IPB054N06N3 G  区别

型号 BUK969R0-60E,118 IPB054N06N3 G
唯样编号 A36-BUK969R0-60E,118 A-IPB054N06N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V 4.4mΩ
上升时间 - 68ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 137W 115W
Qg-栅极电荷 - 82nC
输出电容 305pF -
栅极电压Vgs ±10V 20V
正向跨导 - 最小值 - 47S
典型关闭延迟时间 - 32ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 75A 80A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 3263pF -
长度 - 10mm
下降时间 - 9ns
典型接通延迟时间 - 24ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK969R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK969R0-60E_SOT404 N-Channel 8mΩ@20A,10V 137W -55°C~175°C ±10V 60V 75A

暂无价格 0 当前型号
IRF1010NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB1608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 333W 7.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRF3205STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@46A,10V N-Channel 75V 80A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB054N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3GATMA1_60V 80A 4.4mΩ 20V 115W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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